polysilicon gate
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- 释义
多晶硅栅极
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1、
Investigation of Poly Si/ SiO 2 Interface in Polysilicon Gate MOS Structure
硅栅MOS结构Poly-Si/SiO2界面研究
来源：互联网摘选 -
2、
other silicide layers (50. 4-50. 6) are on the tops of the source, drain and polysilicon gate.
其它硅化物层（50.4-50.6）处于源极、漏极和多晶硅栅极的顶部。
来源：互联网摘选
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